Third Party Funds Group - Sub project
Acronym: ZuGaNG
Start date : 01.04.2014
End date : 31.03.2017
Extension date: 30.06.2017
In diesem Projekt werden sowohl grundlegende Untersuchungen zur Zuverlässigkeit als auch Charakterisierungen dynamischer Schalteigenschaften von GaN-Bauelementen durchgeführt. Dabei werden Defekte im Halbleitermaterial mit dem elektrischen Verhalten der Bauelemente korreliert, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Dies wird auch durch die Herstellung und Erprobung spezieller GaN-Teststrukturen im µm-Maßstab ermöglicht, um neue Charakterisierungsmethoden zu entwickeln. Weiterhin erfolgt eine Charakterisierung des dynamischen Schaltverhaltens von GaN-Transistoren. Dies schließt die Erfassung der Gateladung und des dynamischen Einschaltwiderstands ein. Um die Nachteile von konventionellen normally-on GaN-Transistoren zu umgehen, werden auch hybride normally-off Kaskoden und geeignete Ansteuerschaltungen untersucht.