Zweidimensionales Haeckelit-NbS2 –ein diamagnetischer Halbleiter mit Nb4+-Ionen und hoher Ladungsträgermobilität

Ma Y, Kuc A, Jing Y, Philipsen P, Heine T (2017)


Publication Type: Journal article

Publication year: 2017

Journal

Book Volume: 129

Pages Range: 10348-10352

Journal Issue: 34

DOI: 10.1002/ange.201702450

Abstract

In allen bekannten Dichalkogenid-Monolagen (ML) von Übergangsmetallen der Gruppe 5haben die Metallzentren einen Spin, und ihre Grundzustandsphasen sind entweder metallischoder halbleitend mit indirekter Bandlücke. Auf Grundlage von Berechnungen aus ersten Prinzipien berichten wir hier über die Haeckelit-Polytypen 1S-NbX2 (X = S, Se, Te). Diese sind diamagnetische Halbleiter mit direkter Bandlücke, obwohl die Nb-Atome im Oxidationszustand 4 + vorliegen. Dagegen sind 1S-VX2-ML antiferromagnetische Halbleiter mit indirekter Bandlücke. Die 1S-Phasen sind thermodynamisch und dynamisch stabil, jedoch haben sie eine etwas hçhere Energie als ihre 1H-und 1T-ML-Polytopen. 1SNbX2-ML kçnnten sich aufgrund ihrer kleinen Bandlücken (zwischen 0.5 und 1eV) hervorragend für optoelektronische Anwendungen eignen. Weiterhin ist die Lochbeweglichkeit in 1S-NbS2-ML mit 2.68 ” 103 cm2 V1 s1 besonders hoch, hçher als z.B. in MoS2 und vergleichbar mit WSe2.

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How to cite

APA:

Ma, Y., Kuc, A., Jing, Y., Philipsen, P., & Heine, T. (2017). Zweidimensionales Haeckelit-NbS2 –ein diamagnetischer Halbleiter mit Nb4+-Ionen und hoher Ladungsträgermobilität. Angewandte Chemie International Edition, 129(34), 10348-10352. https://dx.doi.org/10.1002/ange.201702450

MLA:

Ma, Yandong, et al. "Zweidimensionales Haeckelit-NbS2 –ein diamagnetischer Halbleiter mit Nb4+-Ionen und hoher Ladungsträgermobilität." Angewandte Chemie International Edition 129.34 (2017): 10348-10352.

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