Jena S (2022)
Publication Language: German
Publication Type: Thesis
Publication year: 2022
Um Nanodrähte (Gate-All-Around Feld-Effekt-Transistor, GAA FET) für hohe Schaltgeschwindigkeiten produzieren zu können, bietet sich Germanium als Halbleitermaterial an, da es von allen Materialien die größte Löcherbeweglichkeit aufweist. Die Anpassung und Optimierung der Herstellungsprozesse dafür stellt jedoch eine Herausforderung dar aufgrund schlechter Lackhaftung und des an der Luft gebildeten, wasserlöslichen, instabilen Germaniumoxids. Damit auf Germanium prozessiert werden kann, wurde in dieser Arbeit eine hinreichende Substratvorbereitung gefunden, um dieses zu entfernen und die Oberfläche zu passivieren. Durch eine deutlich längere Vorbehandlung in 1:2 verdünnter Salzsäure erhält man eine gute Oberflächenpassivierung. Des Weiteren wurden Belichtungszeit, Heizprozesse und Lackdicke variiert, um optimale Prozessparameter zu finden, mit denen Strukturen mit einem Radius von bis zu 600 nm Durchmesser abgebildet werden konnten. Für eine gute Auflösung von Punkten und hohe Maßhaltigkeit erwies sich der Image Reversal Lack AZ 5214 E als optimal bei einer 70 % - igen Verdünnung.
APA:
Jena, S. (2022). Optimierung von Lithographieprozessen auf Germaniumoberflächen zur Herstellung von Nanodrähten (Bachelor thesis).
MLA:
Jena, Svenja. Optimierung von Lithographieprozessen auf Germaniumoberflächen zur Herstellung von Nanodrähten. Bachelor thesis, 2022.
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